BSS8402DWQ-7

Hersteller Produktnummer:

BSS8402DWQ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

BSS8402DWQ-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363

Detaillierte Beschreibung:

Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

8006 Stück Neu Original Auf Lager

12901938

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BSS8402DWQ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60V, 50V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

115mA, 130mA

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

50pF @ 25V, 45pF @ 25V

Leistung - Max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket für Lieferanten

SOT-363

Basis-Produktnummer

BSS8402

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

BSS8402DWQ-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

Q8604571

31-BSS8402DWQ-7CT

BSS8402DWQ-7-DG

31-BSS8402DWQ-7TR

31-BSS8402DWQ-7DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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