Hersteller Produktnummer:
SQS411ENW-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQS411ENW-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 39.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventar:
5355 Stück Neu Original Auf Lager
13007568
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SQS411ENW-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27.3mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3191 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8W
Basis-Produktnummer
SQS411
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
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