Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHG73N60AE-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13007874
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIHG73N60AE-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG73
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIHG73N60AE-GE3
HTML-Datenblatt
SIHG73N60AE-GE3-DG
Alternative Modelle
Teilenummer
STW69N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
485
TEILNUMMER
STW69N65M5-DG
Einheitspreis
7.27
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCH041N60F
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
365
TEILNUMMER
FCH041N60F-DG
Einheitspreis
7.37
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCH041N60E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
130
TEILNUMMER
FCH041N60E-DG
Einheitspreis
7.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPW60R045CPAFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
83
TEILNUMMER
IPW60R045CPAFKSA1-DG
Einheitspreis
12.42
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252