Hersteller Produktnummer:
SQM70060EL_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQM70060EL_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
846 Stück Neu Original Auf Lager
13007743
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQM70060EL_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
166W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SQM70060
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHG73N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
