Hersteller Produktnummer:
SIHH11N65E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHH11N65E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventar:
13007559
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Menge
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SIHH11N65E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
363mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1257 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
SIHH11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
DIGI-Zertifizierung
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