Hersteller Produktnummer:
SQJ479EP-T1_BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJ479EP-T1_BE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
8392 Stück Neu Original Auf Lager
12977720
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQJ479EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJ479EP-T1_BE3DKR
742-SQJ479EP-T1_BE3TR
742-SQJ479EP-T1_BE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI3440ADV-T1-BE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
SI3476DV-T1-BE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
SI3437DV-T1-BE3
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
