SQ4532AEY-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQ4532AEY-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQ4532AEY-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC

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SQ4532AEY-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Leistung - Max
3.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SQ4532

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SQ4532AEY-T1_GE3CT
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
SQ4532AEY-T1_GE3TR
SQ4532AEY-T1_GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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