SQJ992EP-T1_GE3
Hersteller Produktnummer:

SQJ992EP-T1_GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJ992EP-T1_GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventar:

2942 Stück Neu Original Auf Lager
12786922
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQJ992EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
56.2mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
446pF @ 30V
Leistung - Max
34W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer
SQJ992

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJ992EP-T1_GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3TR
SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1_GE3DKR
SQJ992EP-T1-GE3-DG
SQJ992EP-T1_GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

vishay-siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR