Hersteller Produktnummer:
SISF00DN-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SISF00DN-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Inventar:
20549 Stück Neu Original Auf Lager
12787103
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SISF00DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700pF @ 15V
Leistung - Max
69.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Basis-Produktnummer
SISF00
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SISF00DN-T1-GE3CT
SISF00DN-T1-GE3DKR
SISF00DN-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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