Hersteller Produktnummer:
SIHW61N65EF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHW61N65EF-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventar:
12965790
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Menge
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SIHW61N65EF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7407 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHW61
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
480
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW72N60DM2AG
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
600
TEILNUMMER
STW72N60DM2AG-DG
Einheitspreis
6.50
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPW60R040C7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
464
TEILNUMMER
IPW60R040C7XKSA1-DG
Einheitspreis
6.74
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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