Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI7860DP-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7860DP-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12965802
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI7860DP-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7860
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7860DP-T1-E3-DG
SI7860DPT1E3
SI7860DP-T1-E3CT
SI7860DP-T1-E3TR
SI7860DP-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STL65N3LLH5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3727
TEILNUMMER
STL65N3LLH5-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
CSD17302Q5A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
19870
TEILNUMMER
CSD17302Q5A-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
SIR462DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
33148
TEILNUMMER
SIR462DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
BSC080N03MSGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
23811
TEILNUMMER
BSC080N03MSGATMA1-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
CSD17527Q5A
HERSTELLER
Texas Instruments
VERFÜGBARE ANZAHL
12150
TEILNUMMER
CSD17527Q5A-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIB457EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
SIHA11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
SQJA04EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP