SIB457EDK-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIB457EDK-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIB457EDK-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Inventar:

7532 Stück Neu Original Auf Lager
12965805
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SIB457EDK-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-75-6
Basis-Produktnummer
SIB457

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIB457EDK-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIB457EDK-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIB457EDK-T1-GE3-DG
SIB457EDK-T1-GE3TR
SIB457EDK-T1-GE3DKR
SIB457EDK-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIHA11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220

vishay-siliconix

SQJA04EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4876DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO