Hersteller Produktnummer:
SQJA04EP-T1_GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SQJA04EP-T1_GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
5984 Stück Neu Original Auf Lager
12965808
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SQJA04EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SQJA04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SQJA04EP-T1_GE3DKR
SQJA04EP-T1_GE3CT
SQJA04EP-T1_GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8