Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SI4966DY-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4966DY-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12915239
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI4966DY-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI4966
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SI4966DY-T1-E3
HTML-Datenblatt
SI4966DY-T1-E3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4966DY-T1-E3CT
SI4966DYT1E3
SI4966DY-T1-E3DKR
SI4966DY-T1-E3-DG
SI4966DY-T1-E3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI9926CDY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
19493
TEILNUMMER
SI9926CDY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
Direct
Teilenummer
FDS9926A
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
9224
TEILNUMMER
FDS9926A-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN2041LSD-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
4949
TEILNUMMER
DMN2041LSD-13-DG
Einheitspreis
0.13
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMG9926USD-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
119779
TEILNUMMER
DMG9926USD-13-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
ZXMN2A04DN8TA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
584
TEILNUMMER
ZXMN2A04DN8TA-DG
Einheitspreis
0.78
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI3909DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
SI1553DL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
SI1026X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
SI5935DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8