Hersteller Produktnummer:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN2A04DN8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventar:
584 Stück Neu Original Auf Lager
12904074
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ZXMN2A04DN8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1880pF @ 10V
Leistung - Max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
ZXMN2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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