Hersteller Produktnummer:
SI9926CDY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI9926CDY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
19493 Stück Neu Original Auf Lager
12786069
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SI9926CDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200pF @ 10V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
SI9926
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI9926CDY-T1-GE3DKR
SI9926CDY-T1-GE3TR
SI9926CDYT1GE3
SI9926CDY-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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