Hersteller Produktnummer:
SI4143DY-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI4143DY-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 25.3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12914330
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SI4143DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6630 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
SI4143
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SI4143DY-T1-GE3CT
SI4143DY-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS1E240GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
11691
TEILNUMMER
RS1E240GNTB-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS1E200GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2460
TEILNUMMER
RS1E200GNTB-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS3E095BNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
RS3E095BNGZETB-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RS3E135BNGZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2565
TEILNUMMER
RS3E135BNGZETB-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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