Hersteller Produktnummer:
RS3E135BNGZETB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RS3E135BNGZETB-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
2565 Stück Neu Original Auf Lager
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RS3E135BNGZETB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
RS3E
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS3E135BNGZETBTR
RS3E135BNGZETBCT
RS3E135BNGZETBDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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