Hersteller Produktnummer:
RS1E200GNTB
Product Overview
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Teilenummer:
RS1E200GNTB-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2460 Stück Neu Original Auf Lager
13527276
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RS1E200GNTB Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
ROHM Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1080 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HSOP
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
RS1E
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC042N03LSGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
11717
TEILNUMMER
BSC042N03LSGATMA1-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
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