Hersteller Produktnummer:
SI2312CDS-T1-BE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2312CDS-T1-BE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
12977897
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI2312CDS-T1-BE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
865 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SI2312CDS-T1-BE3CT
742-SI2312CDS-T1-BE3TR
742-SI2312CDS-T1-BE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHP11N80E-BE3
N-CHANNEL 800V
SIRC16DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC
SIHL620STRL-GE3
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V