SIHB30N60ET5-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHB30N60ET5-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHB30N60ET5-GE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 600V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

800 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHB30N60ET5-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SiHB30N60E

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
742-SIHB30N60ET5-GE3DKR
742-SIHB30N60ET5-GE3CT
742-SIHB30N60ET5-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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