SIHL620STRL-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHL620STRL-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHL620STRL-GE3-DG

Beschreibung:

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

776 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHL620STRL-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRL620S, SiHL620S

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
742-SIHL620STRL-GE3TR
742-SIHL620STRL-GE3DKR
742-SIHL620STRL-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SIHL620S-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
860
TEILNUMMER
SIHL620S-GE3-DG
Einheitspreis
0.31
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IRL620STRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
130
TEILNUMMER
IRL620STRLPBF-DG
Einheitspreis
0.84
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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