TPH3207WS
Hersteller Produktnummer:

TPH3207WS

Product Overview

Hersteller:

Transphorm

Teilenummer:

TPH3207WS-DG

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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13445537
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TPH3207WS Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.65V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2197 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
178W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SIHG73N60AE-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIHG73N60AE-GE3-DG
Einheitspreis
5.23
ERSATZART
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Teilenummer
TP65H035WS
HERSTELLER
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VERFÜGBARE ANZAHL
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TP65H035WS-DG
Einheitspreis
12.32
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5.65
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cr
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esd
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