Hersteller Produktnummer:
TPH3208PD
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TPH3208PD-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13445848
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TPH3208PD Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP33N60DM2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3750
TEILNUMMER
STP33N60DM2-DG
Einheitspreis
2.32
ERSATZART
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