Hersteller Produktnummer:
TPH3205WSBQA
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TPH3205WSBQA-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
13446407
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TPH3205WSBQA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2200 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TPH3205
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFH60N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFH60N65X2-DG
Einheitspreis
6.57
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