Hersteller Produktnummer:
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK80S06K3L(T6L1,NQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
12889236
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TK80S06K3L(T6L1,NQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4200 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK80S06
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK80S06K3LT6L1NQ
TK80S06K3L(T6L1NQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOD2606
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOD2606-DG
Einheitspreis
0.52
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