Hersteller Produktnummer:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK20C60W,S1VQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12889253
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK20C60W,S1VQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
TK20C60
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI33N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
9000
TEILNUMMER
STI33N65M2-DG
Einheitspreis
1.70
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
