Hersteller Produktnummer:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK13E25D,S1X(S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
44 Stück Neu Original Auf Lager
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TK13E25D,S1X(S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
102W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK13E25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF644PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1392
TEILNUMMER
IRF644PBF-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
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