Hersteller Produktnummer:
TK3R1E04PL,S1X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK3R1E04PL,S1X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
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TK3R1E04PL,S1X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4670 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
87W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK3R1E04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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