Hersteller Produktnummer:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TJ60S04M3L(T6L1,NQ-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
1612 Stück Neu Original Auf Lager
12889380
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6510 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TJ60S04
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TJ60S04M3L(T6L1NQ
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT
264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR
TJ60S04M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S04M3LT6L1NQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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