Hersteller Produktnummer:
SSM6K411TU(TE85L,F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6K411TU(TE85L,F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Inventar:
12889385
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Menge
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SSM6K411TU(TE85L,F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UF6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6K411
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6K411TU(TE85LFCT
SSM6K411TU(TE85LFTR
SSM6K411TU(TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RF4E110GNTR
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6586
TEILNUMMER
RF4E110GNTR-DG
Einheitspreis
0.14
ERSATZART
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