Hersteller Produktnummer:
TK35A65W,S5X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK35A65W,S5X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
13 Stück Neu Original Auf Lager
12889627
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK35A65W,S5X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 2.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK35A65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-DG
TK35A65WS5X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SJ360(F)
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
TK18E10K3,S1X(S
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
