TK35A65W,S5X
Hersteller Produktnummer:

TK35A65W,S5X

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TK35A65W,S5X-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventar:

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TK35A65W,S5X Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 2.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK35A65

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-DG
TK35A65WS5X

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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