Hersteller Produktnummer:
2SJ360(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SJ360(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Inventar:
12889634
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Menge
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2SJ360(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
155 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PW-MINI
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
2SJ360
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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