Hersteller Produktnummer:
TK18E10K3,S1X(S
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK18E10K3,S1X(S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12889644
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TK18E10K3,S1X(S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK18E10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK18E10K3S1XS
TK18E10K3S1X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK110E10PL,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
171
TEILNUMMER
TK110E10PL,S1X-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
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