Hersteller Produktnummer:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK33S10N1L,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
1997 Stück Neu Original Auf Lager
12943189
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TK33S10N1L,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK33S10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK33S10N1L,LXHQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3908
TEILNUMMER
TK33S10N1L,LXHQ-DG
Einheitspreis
0.45
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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