BSZ0911LSATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSZ0911LSATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSZ0911LSATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventar:

29980 Stück Neu Original Auf Lager
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BSZ0911LSATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
670 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8 FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ0911

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-BSZ0911LSATMA1CT
448-BSZ0911LSATMA1DKR
448-BSZ0911LSATMA1TR
SP005424280
SP00542428

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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