Hersteller Produktnummer:
TPCC8136.LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCC8136.LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 9.4A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
12943190
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TPCC8136.LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2350 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPCC8136
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TPCC8136.LQTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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