Hersteller Produktnummer:
SSM3J09FU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J09FU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 200MA USM
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventar:
6123 Stück Neu Original Auf Lager
12889261
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SSM3J09FU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 100µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
22 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
USM
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
SSM3J09
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3J09FU,LF(B
SSM3J09FULFCT
SSM3J09FULFDKR
SSM3J09FULFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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