Hersteller Produktnummer:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventar:
12889259
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SSM6J206FE(TE85L,F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
335 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
ES6
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
SSM6J206
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NTZS3151PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
17660
TEILNUMMER
NTZS3151PT1G-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
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