Hersteller Produktnummer:
2SK3662(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK3662(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 35A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12889389
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SK3662(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5120 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
2SK3662
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
SSM3K37FS,LF
MOSFET N-CH 20V 200MA SSM