Hersteller Produktnummer:
SSM3K7002BSU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K7002BSU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventar:
12889617
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SSM3K7002BSU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.1V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
17 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
USM
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
SSM3K7002
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3K7002BSULFCT
SSM3K7002BSULFDKR
SSM3K7002BFU(T5LFTR
SSM3K7002BSULF
SSM3K7002BSULFDKRINACTIVE
SSM3K7002BSULFCTINACTIVE
SSM3K7002BFU(T5LFCT
SSM3K7002BFU(T5LFDKR-DG
SSM3K7002BSU,LF(D
SSM3K7002BSULFTR
SSM3K7002BFU(T5LFTR-DG
SSM3K7002BFU(T5LFCT-DG
SSM3K7002BSULFTRINACTIVATE
SSM3K7002BFU(T5LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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