Hersteller Produktnummer:
SSM3K35CT,L3F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K35CT,L3F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventar:
33012 Stück Neu Original Auf Lager
12889619
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SSM3K35CT,L3F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer
SSM3K35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
SSM3K35CTL3FTR
SSM3K35CT,L3F(B
SSM3K35CT,L3F(T
SSM3K35CTL3FDKR
SSM3K35CTL3FCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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