Hersteller Produktnummer:
SSM3K376R,LXHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3K376R,LXHF-DG
Beschreibung:
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventar:
12964246
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SSM3K376R,LXHF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+12V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23F
Paket / Koffer
SOT-23-3 Flat Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM3K376R,LXHF(B
264-SSM3K376RLXHFTR
264-SSM3K376RLXHFCT
264-SSM3K376RLXHFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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