Hersteller Produktnummer:
NTBG015N065SC1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NTBG015N065SC1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
1459 Stück Neu Original Auf Lager
12964257
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NTBG015N065SC1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
145A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 75A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 25mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4689 pF @ 325 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
488-NTBG015N065SC1DKR
488-NTBG015N065SC1TR
488-NTBG015N065SC1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTPF095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
FCPF250N65S3L1-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMT095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
