Hersteller Produktnummer:
SSM3J168F,LXHF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM3J168F,LXHF-DG
Beschreibung:
SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 400mA (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventar:
9878 Stück Neu Original Auf Lager
12964247
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SSM3J168F,LXHF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
82 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-SSM3J168FLXHFCT
264-SSM3J168FLXHFTR
SSM3J168F,LXHF(B
264-SSM3J168FLXHFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTMFS7D8N10GTWG
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
