Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
RN2107,LF(CT
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN2107,LF(CT-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
55 Stück Neu Original Auf Lager
12891756
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RN2107,LF(CT Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN2107
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
RN2107-09
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2107LF(CTDKR
RN2107(T5LFT)DKR
RN2107LF(CBDKR
RN2107LF(CTCT
RN2107LF(CBDKR-DG
RN2107(T5LFT)CT
RN2107LF(CBTR
RN2107(T5LFT)CT-DG
RN2107(T5LFT)TR-DG
RN2107LF(CBCT-DG
RN2107(T5LFT)DKR-DG
RN2107(T5L,F,T)
RN2107(T5LFT)TR
RN2107,LF(CB
RN2107LF(CBCT
RN2107LF(CTTR
RN2107LF(CBTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTA114YET1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
8044
TEILNUMMER
DTA114YET1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Similar
Teilenummer
SDTA114YET1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2815
TEILNUMMER
SDTA114YET1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1422TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN1401,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN2313(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
DDTA143XCA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23F