RN2313(TE85L,F)
Hersteller Produktnummer:

RN2313(TE85L,F)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2313(TE85L,F)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

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12891802
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RN2313(TE85L,F) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
RN2313

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN2312,13

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN2313(TE85LF)CT
RN2313TE85LF
RN2313(TE85LF)-DG
RN2313(TE85LF)
RN2313(TE85LF)TR
RN2313(TE85LF)DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DTA114GUAT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1127
TEILNUMMER
DTA114GUAT106-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
DDTA144GUA-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DDTA144GUA-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
DTA144GUAT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2425
TEILNUMMER
DTA144GUAT106-DG
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certification_02
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cr
certification_015
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