Hersteller Produktnummer:
RN1422TE85LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
RN1422TE85LF-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
8500 Stück Neu Original Auf Lager
12891765
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RN1422TE85LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
65 @ 100mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
300 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN1422
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN1422TE85LFCT
RN1422TE85LF-DG
264-RN1422TE85LFTR
264-RN1422TE85LFDKR
RN1422(TE85L,F)
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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