RN1107ACT(TPL3)
Hersteller Produktnummer:

RN1107ACT(TPL3)

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1107ACT(TPL3)-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventar:

9440 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1107ACT(TPL3) Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
CST3
Basis-Produktnummer
RN1107

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
RN1107ACT(TPL3)CT
RN1107ACT (TPL3)
RN1107ACT(TPL3)DKR
RN1107ACT(TPL3)TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RN1107,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
20341
TEILNUMMER
RN1107,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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Teilenummer
PDTC114YM,315
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