RN1107,LF(CT
Hersteller Produktnummer:

RN1107,LF(CT

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN1107,LF(CT-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

20341 Stück Neu Original Auf Lager
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RN1107,LF(CT Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SSM
Basis-Produktnummer
RN1107

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
RN1107T5LFT
RN1107LF(CTCTINACTIVE
RN1107LF(CBTR
RN1107LF(CBDKR-DG
RN1107LF(CTDKRINACTIVE
RN1107LF(CTCT
RN1107(T5LFT)DKR
RN1107(T5LFT)CT
RN1107LF(CBCT-DG
RN1107LF(CTTRINACTIVE
RN1107LF(CTDKR
RN1107LF(CBDKR
RN1107(T5L,F,T)
RN1107,LF(CB
RN1107LF(CTTR
RN1107LF(CBCT
RN1107(T5LFT)TR
RN1107LF(CBTR-DG
RN1107(T5LFT)CT-DG
RN1107(T5LFT)TR-DG
RN1107(T5LFT)DKR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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